Всем привет, вот решил попробывать собрать ячейку памяти на транзисторе, понял что нужно использовать туннельный эффект.
Туннельный эффект — явление, возможное только в квантовой механике, когда, благодаря своим волновым свойствам, электрон перепрыгивает с одного места на другое. То есть он оказывается по ту сторону диэлектрика, не проходя через него. В классической механике такое невозможно.

Чтобы записать единичку в ячейку памяти, надо на плавающий затвор закинуть электронов. Для того, чтобы поместить электроны в плавающий затвор, на управляющий затвор подают положительное напряжение — гораздо выше, чем при чтении. Часть проходящих электронов запрыгивают на плавающий затвор благодаря туннельному эффекту. Стирание данных происходит точно так же, только вместо положительного напряжение на управляющий затвор подается отрицательное, и электроны спрыгивают с плавающего затвора.

Наигравшись с транзистором мп37 и блоком питания от компа, выяснилось, что нифига не работает, в следствии чего прошу вашей помощи)