Перейти к блогу GetChip.net - блог        JilTE[1] - в разработке     Модификации устройств - модификации

 
Текущее время: 28 апр 2024, 22:08

Часовой пояс: UTC + 3 часа [ Летнее время ]



Ответить
Имя пользователя:
Заголовок:
Текст сообщения:
Введите текст вашего сообщения. Длина сообщения в символах не более: 60000

Размер шрифта:
Цвет шрифта
Настройки:
BBCode ВКЛЮЧЁН
[img] ВКЛЮЧЁН
[flash] ВЫКЛЮЧЕН
[url] ВКЛЮЧЁН
Смайлики ВЫКЛЮЧЕНЫ
Отключить в этом сообщении BBCode
Не преобразовывать адреса URL в ссылки
Анти-спам
Анти-спам:
Выполните задание
   

Обзор темы - Параллельное включение транзисторов MOSFET
Автор Сообщение
  Заголовок сообщения:  Re: Параллельное включение транзисторов MOSFET  
Цитата
Спасибо Анатолий.
Сообщение Добавлено: 09 фев 2012, 21:14
  Заголовок сообщения:  Re: Параллельное включение транзисторов MOSFET  
Цитата
Балластный резистор, приходит на ум конструкция из сложенной пополам и гармошкой никелевой фольги и слюды. Получаем аналог бифилярной намотке. можно попробовать. Проточить алмазным резцом керамический стрежень. Нарезаем там резьбу. и делаем из него пластину. Но токарь нужен высокого класса.
Сообщение Добавлено: 09 фев 2012, 19:35
  Заголовок сообщения:  Re: Параллельное включение транзисторов MOSFET  
Цитата
Оптимальная частота с нормальным драйвером лежит в диапазоне 70-200кгц. И определяется свойствами феррита или микропорошкового железа в материале сердечника. Иногда встречаются варианты до 1 Мгц. Но это редкость.
В нашем случае частота ограниченна сверху свойствами сердечника и скоростью работы драйвера. С низу индуктивностью и ёмкостью LC цепочки. И звуковыми эффектами. Те ниже 20кгц лучше не делать, шуметь будет. Примерный диапазон от 20 до 200кгц. Самый лучший сердечник для катушки подобного применения это тороидальный. Мало поле рассеяния. Но при большой плотности тока проводник имеет большое сечение и его трудно намотать на кольцо. В таком случае выбирают E или EI тип сердечника. И мотают медной лентой. С изолятором из лавсана или фторопласта. Конденсатор лучше набрать из 4-5 меньшей ёмкостью. Их выбирают по параметру "импульсный ток". По этому-же параметру выбирают и не полярные керамические конденсаторы в LC цепочке. Есть мысль поставить ещё ферритовую бусинку. При таких токах это будет ферритовая трубка на проводе клемы нагрузки.
Сообщение Добавлено: 09 фев 2012, 19:29
  Заголовок сообщения:  Re: Параллельное включение транзисторов MOSFET  
Цитата
Сообщение Добавлено: 06 фев 2012, 21:26
  Заголовок сообщения:  Re: Параллельное включение транзисторов MOSFET  
Цитата
Сообщение Добавлено: 06 фев 2012, 21:23
  Заголовок сообщения:  Re: Параллельное включение транзисторов MOSFET  
Цитата
Теперь понятно. Значит будем пробовать. По поводу балластного резистора, примерно в каких пределах сопротивление?
Сообщение Добавлено: 06 фев 2012, 21:17
  Заголовок сообщения:  Re: Параллельное включение транзисторов MOSFET  
Цитата
Оу можно запитать от 5 вольт. Но низкая опора для АЦП последовательного приближения не есть хорошо. Если поставить 5 вольт опору. А ОУ у нас не ретал ту ретал. Он от замли а до плюса что-то около 1 вольта не дотягивает. (точно не помню смотреть надо). Мы потерям часть шкалы АЦП. ТК не при каком раскладе напряжение там не поднимется до 5 вольт. А так два диода от земли на вход оу и от входа оу к +5. и резистор на 1К на вход ОУ. Если напряжение возрастёт выше +5 вольт то его закоротит на себя диод и всё. Выше оно уже не поднимется. Вот такая защита но это в следующих сериях.
Катушку и Ёмкости надо считать исходя из частоты ШИМ. Можно решить обратную задачу. Исходя из катушки и конденсатора рассчитать необходимую частоту. Возможны промежуточные варианты. ;) Учитывая самодельный драйвер с неизвестными характеристиками. Я бы произвёл эксперимент. И проверил при какой частоте ШИМ мосфеты уже полностью не открываются. Сделал бы меньше процентов на 10. И исходя из этого рассчитал индуктивность и ёмкость.
Сообщение Добавлено: 06 фев 2012, 21:06
  Заголовок сообщения:  Re: Параллельное включение транзисторов MOSFET  
Цитата
Возвращаюсь к вопросу по параметрам индуктивности и этих двух конденсаторов. И ещё по токовой защите. Есть мысль в управлении (на базы транзисторов) драйвером поставить транзистор управляемый от ОУ или МК, коммутирующий управление драйвера на землю, при токовой защите. И ещё почему питание ОУ 12 В. Не лучше питать от +5? Тем самым если будем подавать сигнал на МК, это безопасней для последнего в случае чего.
Сообщение Добавлено: 06 фев 2012, 20:48
  Заголовок сообщения:  Re: Параллельное включение транзисторов MOSFET  
Цитата
А вот тут я маху дал, слона то я и не приметил. 1:1. :D
Сообщение Добавлено: 06 фев 2012, 20:24
  Заголовок сообщения:  Re: Параллельное включение транзисторов MOSFET  
Цитата
Ну почти, да не то. У вас Конденсаторы в LC цепочке землёй подключены на силовую землю после шунта а у меня подключены до. :D
При этом вся каша интегрируется на LC и в шунте течёт постоянный ток. :geek:


Вложения:
1.png
1.png [ 8.57 КБ | Просмотров: 10723 ]
Сообщение Добавлено: 06 фев 2012, 20:21

Часовой пояс: UTC + 3 часа [ Летнее время ]


Перейти:  
cron
Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group
Русская поддержка phpBB